林純薬 – 電子材料、試薬、標準品の製造、販売

電子材料

2012年06月14日

『GaN膜(N面)粗面化処理用エッチング液』の開発 《青色 発光ダイオード(青色LED)用》

品名 Pure Etch F1000 Series(青色 発光ダイオード用)
品番 Pure Etch F1000、F1001
サンプル出荷 2012年6月より出荷開始
生産工場 三重工場

林純薬工業株式会社(社長:入江正克、以下林純薬)は、この度、青色発光ダイオード(以下、『青色LED』という)プロセスにおけるGaN膜(N面)の表面をエッチングし、粗面化(凹凸化)することができる高性能エッチング液の取り扱いを始めました。2012年6月よりサンプル出荷を開始します。

当社はこれまで、黄緑~赤色LEDで使用される各種半導体膜(AlGaInP膜、GaP膜、基板、AlGaAs膜、GaAs基板)の粗面化エッチング液を開発してきました。
そして今回、青色LEDに着目しました。青色LEDは、長寿命、省電力の点から、LED照明や携帯電話、車載用途等で使用され、市場が拡大しています。青色LEDの高効率化・低価格化のためには、青色LEDの発光効率の向上が必要となります。

そこで当社は、この度、独自の技術によってGaN膜(N面)を粗面化(凹凸化)することが可能な粗面化エッチング液を開発しました。粗面化(凹凸化)することで光取り出し効率が向上し、その結果、高い発光効率を得る事が可能となります。

本製品は、特殊な技術を用いることなく、容易に所望の凹凸を形成することが可能となります。
当社は、青色LEDの発光効率向上を支え、環境を重視した機能性薬液を、多くの企業へ向けて提案してまいります。

なお、本製品は、2012年6月19日~21日に台湾で開催されるLED Lighting Taiwan 2012に参考出展予定です。

生産体制は三重工場を主力に整えていきます。

◆特長

  1. 特殊な技術を用いることなく、GaN膜(N面)の表面粗面化が可能
  2. 所望の凹凸を形成することで、光取り出し効率の向上が可能
  3. 面内均一性が良好
  4. 室温~高温での使用が可能

◆適用例

<評価基板> GaN膜(N面)/ 下地基板
<評価薬液> Pure Etch F1000

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25℃ 90min Dip静止
エッチング量 1.1μm
凹凸深さ 0.7~1.1μm
80℃ 20min Dip静止
エッチング量 3.3μm
凹凸深さ 1.8~2.9μm

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