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単結晶シリコンテクスチャーエッチング液Pure Etch T80 series
新製品 Pure Etch T80 series は、2種類の添加剤（ Pure Etch TT72C13 および Pure Etch TK81 ）をアルカリに添加して使用します。
- 所望のテクスチャーサイズが形成可能。（形成可能サイズ：2～10μm）
- Siエイジング不要、長Siライフ。（Si濃度：0～4%）
- 各種基板において、テクスチャー形成が可能
対象基板：固定砥粒スライス基板、遊離砥粒スライス基板、SDE処理後基板、p型、n型シリコン基板 - 処理後の表面反射率低下による、変換効率の改善が可能。
- TK81は低粘度であり、調合、補給が容易。（従来品TK80の7分の1）
- 環境にやさしく、プロセスコントロールが容易。
| ターゲット テクスチャーサイズ |
＜2μm | 2～4μm | 4～6μm | 8～10μm | |
| 処理 条件 |
処理 温度 |
65～75℃ | 65～75℃ | 75～90℃ | 80～90℃ |
| 処理 時間 |
10～20min | ||||
| 処理 方法 |
Dip 静止、撹拌、N2バブリング | ||||
| Siエイジング | 無 | ||||
| 対象 基板 |
固定砥粒スライス基板、遊離砥粒スライス基板、SDE処理後基板 p型、n型シリコン基板 |
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SEMによる |
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反射率 |
11.1％ | 11.2％ | 11.4％ | 11.4％ | |
幅広いSi濃度範囲で安定にテクスチャー形成可能
[補給条件]
Pure Etch TT72C13 ： 時間毎に補給
Pure Etch TK81 ： 時間毎に補給
アルカリ ： batch毎に補給
| ターゲット テクスチャーサイズ |
8～10μm | ||
| Si溶解量 | 0％ | 2％ | 4％ |
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SEMによる表面観察 |
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| テクスチャーサイズ | 8μm | 9μm | 9μm |
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反射率 |
11.4％ | 11.2％ | 11.1％ |
| 面内均一性 | 良好 | 良好 | 良好 |
従来品に比べ低粘度で取扱が容易
| 項目 | Pure Etch TT72C13 | Pure Etch TK81 | Pure Etch TK80 （従来品） |
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| 物性 | 粘度（mPa･S/25℃） | 4 | 75 | 550 |
| 比重（20℃） | 1 | 1 | 1 | |
| pH（25℃） | 4 | 7 | 7 | |
| 該当法規 | 毒劇法 | 非該当 | 非該当 | 非該当 |
| 消防法 | 非該当 | 非該当 | 非該当 | |
| PRTR法 | 非該当 | 非該当 | 非該当 | |
