単結晶シリコンテクスチャーエッチング液Pure Etch T80 series
新製品 Pure Etch T80 series は、2種類の添加剤( Pure Etch TT72C13 および Pure Etch TK81 )をアルカリに添加して使用します。
- 所望のテクスチャーサイズが形成可能。(形成可能サイズ:2~10μm)
- Siエイジング不要、長Siライフ。(Si濃度:0~4%)
- 各種基板において、テクスチャー形成が可能
対象基板:固定砥粒スライス基板、遊離砥粒スライス基板、SDE処理後基板、p型、n型シリコン基板 - 処理後の表面反射率低下による、変換効率の改善が可能。
- TK81は低粘度であり、調合、補給が容易。(従来品TK80の7分の1)
- 環境にやさしく、プロセスコントロールが容易。
ターゲット テクスチャーサイズ |
<2μm | 2~4μm | 4~6μm | 8~10μm | |
処理 条件 |
処理 温度 |
65~75℃ | 65~75℃ | 75~90℃ | 80~90℃ |
処理 時間 |
10~20min | ||||
処理 方法 |
Dip 静止、撹拌、N2バブリング | ||||
Siエイジング | 無 | ||||
対象 基板 |
固定砥粒スライス基板、遊離砥粒スライス基板、SDE処理後基板 p型、n型シリコン基板 |
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SEMによる |
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反射率 |
11.1% | 11.2% | 11.4% | 11.4% |
幅広いSi濃度範囲で安定にテクスチャー形成可能
[補給条件]
Pure Etch TT72C13 : 時間毎に補給
Pure Etch TK81 : 時間毎に補給
アルカリ : batch毎に補給
ターゲット テクスチャーサイズ |
8~10μm | ||
Si溶解量 | 0% | 2% | 4% |
SEMによる表面観察 |
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テクスチャーサイズ | 8μm | 9μm | 9μm |
反射率 |
11.4% | 11.2% | 11.1% |
面内均一性 | 良好 | 良好 | 良好 |
従来品に比べ低粘度で取扱が容易
項目 | Pure Etch TT72C13 | Pure Etch TK81 | Pure Etch TK80 (従来品) |
|
物性 | 粘度(mPa・S/25℃) | 4 | 75 | 550 |
比重(20℃) | 1 | 1 | 1 | |
pH(25℃) | 4 | 7 | 7 | |
該当法規 | 毒劇法 | 非該当 | 非該当 | 非該当 |
消防法 | 非該当 | 非該当 | 非該当 | |
PRTR法 | 非該当 | 非該当 | 非該当 |