林純薬 – 電子材料、試薬、標準品の製造、販売



テクスチャーエッチング液

単結晶シリコンテクスチャーエッチング液Pure Etch T80 series

新製品 Pure Etch T80 series は、2種類の添加剤( Pure Etch TT72C13 および Pure Etch TK81 )をアルカリに添加して使用します。

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製品の特長

  • 所望のテクスチャーサイズが形成可能。(形成可能サイズ:2~10μm
  • Siエイジング不要、長Siライフ。(Si濃度:0~4%
  • 各種基板において、テクスチャー形成が可能
     対象基板:固定砥粒スライス基板、遊離砥粒スライス基板、SDE処理後基板、p型、n型シリコン基板
  • 処理後の表面反射率低下による、変換効率の改善が可能。
  • TK81は低粘度であり、調合、補給が容易。(従来品TK80の7分の1)
  • 環境にやさしく、プロセスコントロールが容易。

 

推奨処理条件

ターゲット
テクスチャーサイズ
 <2μm 2~4μm 4~6μm 8~10μm
処理
条件
処理
温度
65~75℃ 65~75℃ 75~90℃ 80~90℃
処理
時間
10~20min
処理
方法
Dip 静止、撹拌、N2バブリング
Siエイジング
対象
基板
固定砥粒スライス基板、遊離砥粒スライス基板、SDE処理後基板
p型、n型シリコン基板

SEMによる
表面観察

( ×2000、Tilt15°)

テクスチャーサイズ<2μm

テクスチャーサイズ2~4μm

テクスチャーサイズ4~6μm

テクスチャーサイズ8~10μm

反射率
(400~800nmの平均値)

11.1% 11.2% 11.4% 11.4%

 

 

 

Siライフ

  幅広いSi濃度範囲で安定にテクスチャー形成可能

Siライフのテクスチャー処理フロー(処理漕、TEC処理、補給)

 

 

[補給条件]
Pure Etch TT72C13 : 時間毎に補給
Pure Etch TK81      : 時間毎に補給

アルカリ : batch毎に補給

 

 

 

ターゲット
テクスチャーサイズ
8~10μm
Si溶解量 0% 2% 4%

SEMによる表面観察
(×2000、Tilt15°)

テクスチャーレーザー顕微鏡観察0% テクスチャーレーザー顕微鏡観察2% テクスチャーレーザー顕微鏡観察4%
テクスチャーサイズ 8μm 9μm 9μm

反射率
(400~800nm)(%)

11.4% 11.2% 11.1%
面内均一性 良好 良好 良好

 

 

該当法規(毒劇法、消防法、PRTR法、労安法)

  従来品に比べ低粘度で取扱が容易

項目 Pure Etch TT72C13 Pure Etch TK81 Pure Etch TK80
(従来品)
物性 粘度(mPa・S/25℃) 4 75 550
比重(20℃) 1 1 1
pH(25℃) 4 7 7
該当法規 毒劇法 非該当 非該当 非該当
消防法 非該当 非該当 非該当
PRTR法 非該当 非該当 非該当

 

 

 

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